发明名称 一种发光二极管芯片及其制作方法
摘要 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法,属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括依次层叠在衬底上的N型层、发光层、P型层,所述P型层上设有从所述P型层延伸至所述N型层的凹槽,P型电极设置在所述P型层上,N型电极设置在所述N型层上,所述P型电极包括焊盘和均匀分布在所述P型层的整个表面的多条电极线,所述电极线之间、以及所述电极线和所述焊盘之间相互连接。本发明通过P型电极可以同时实现传统LED芯片中电极和透明导电层的作用,由于P型电极和N型电极只需要一道光刻工艺即可形成,因此与传统LED芯片制作(电极和透明导电层的制作各需要一道光刻工艺)相比,节省了一道光刻工艺,简化工艺,大幅降低成本。
申请公布号 CN105742418A 申请公布日期 2016.07.06
申请号 CN201610156448.1 申请日期 2016.03.18
申请人 华灿光电股份有限公司 发明人 刘源;王江波
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人 徐立
主权项 一种发光二极管芯片,所述发光二极管芯片包括依次层叠在衬底上的N型层、发光层、P型层,所述P型层上设有从所述P型层延伸至所述N型层的凹槽,P型电极设置在所述P型层上,N型电极设置在所述N型层上,其特征在于,所述P型电极包括焊盘和均匀分布在所述P型层的整个表面的多条电极线,所述电极线之间、以及所述电极线和所述焊盘之间相互连接。
地址 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号