| 发明名称 | 用于栅极图案化的合并光刻工艺 | ||
| 摘要 | 用于在管芯上制造器件的方法，和管芯上的器件。一种方法可包括将第一区域图案化以用第一工艺创建具有第一栅极长度和第一接触多晶硅间距(CPP)的第一栅极。该第一CPP小于单图案光刻限制。该方法还包括将第一区域图案化以用第二工艺创建具有第二栅极长度或者第二CPP的第二栅极。该第二CPP小于该单图案光刻限制。该第二栅极长度与该第一栅极长度不同。 | ||
| 申请公布号 | CN105745747A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201480063290.2 | 申请日期 | 2014.10.24 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | S·S·宋;Z·王;C·F·耶普 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 袁逸 |
| 主权项 | 一种用于在管芯上制造多个器件的方法，包括将第一区域图案化以用第一工艺至少创建具有第一栅极长度和第一接触多晶硅间距(CPP)的第一栅极，所述第一CPP小于单图案光刻限制；以及将所述第一区域图案化以用第二工艺创建具有第二栅极长度或第二CPP的第二栅极，所述第二CPP小于所述单图案光刻限制，所述第二栅极长度与所述第一栅极长度不同。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||