高电子迁移率晶体管

摘要

本发明提供了一种高电子迁移率晶体管，形成于一半导体衬底表面，所述半导体表面设置有异质结层，所述异质结层内部极化而产生二维电子气，所述异质结层的表面具有源电极、漏电极和栅电极以构成高电子迁移率晶体管，所述半导体衬底中包括一辅助耗尽层，所述辅助耗尽层由P型半导体层和N型半导体层沿着平行于衬底表面的方向交替堆叠构成。本发明的优点在于，通过在半导体衬底中设置由P型半导体层和N型半导体层交替堆叠构成的辅助耗尽层，使得器件工作时耗尽区扩展到更大的区域，避免半导体衬底提前击穿，整体提高器件耐压能力。

主权项

一种高电子迁移率晶体管，形成于一半导体衬底表面，所述半导体衬底表面设置有异质结层，所述异质结层内部极化而产生二维电子气，所述异质结的表面具有源电极、漏电极和栅电极以构成高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述半导体衬底包括一辅助耗尽层，所述辅助耗尽层由P型半导体层和N型半导体层沿着平行于衬底表面的方向交替堆叠构成，所述P型半导体层与所述N型半导体层的材料相同，且所述P型半导体层与所述N型半导体层中的一个与所述半导体衬底的导电类型相同。