金属互连结构的制作方法

摘要

一种金属互连结构的制作方法，包括：提供具有目标电连接区域的半导体衬底；接着在该半导体衬底自下而上依次形成阻挡层、包括低K或超低K材质的介电层、金属层；然后在金属层上定义出用以形成沟槽的条状区域；之后在该条状区域的金属层上定义出用以形成通孔的图形化光刻胶；随后以该图形化光刻胶为掩膜刻蚀介电层以形成通孔；再接着以条状区域的金属层为掩膜刻蚀介电层以形成沟槽，此时通孔底部的阻挡层暴露；之后分别进行湿法去除残留的金属层、去除通孔底部的阻挡层以使半导体衬底的目标电连接区域暴露、在通孔及沟槽内填充导电材质。采用本发明的技术方案，提供了一种适于在低K或超低K材质内形成金属互连结构的方法。

主权项

一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，包括：提供具有目标电连接区域的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成介电层，所述介电层包括介电常数为2.0≤k≤4.0或k<2.0的材质；在所述介电层上形成金属层，所述金属层的材质为铜或氮化铜；在所述金属层上定义出用以形成沟槽的条状区域，去除所述条状区域外的金属层，本步骤采用光刻、刻蚀工艺实现；利用光刻刻蚀工艺在保留的金属层上定义出用以形成通孔的图形化光刻胶，定义的所述通孔位于相邻条状区域的金属层之间；以所述图形化光刻胶为掩膜刻蚀所述介电层以形成通孔；以所述条状区域的金属层为掩膜刻蚀所述介电层以形成沟槽，所述通孔底部的阻挡层暴露；湿法去除残留的所述金属层；去除所述通孔底部的阻挡层以使半导体衬底的目标电连接区域暴露；在所述通孔及所述沟槽内填充导电材质。