发明名称 |
一种小功率会切磁场等离子体推力器的变截面通道结构 |
摘要 |
一种小功率会切磁场等离子体推力器的变截面通道结构,涉及会切磁场等离子体推力器领域。本发明是为了解决现有会切磁场等离子体推力器在小功率工况下,通流密度较低时电离不足导致性能下降,而通流密度较高时等离子体与壁面作用加剧同样导致性能下降的问题。该通道由陶瓷通道和永磁铁构建,陶瓷通道为一体件结构,分为通道上游部分和通道下游部分两段,从通道上游部分到通道下游部分渐扩的通道结构,陶瓷通道的外壁面用于与永磁铁内壁面实现间隙配合。该结构提高上游电离区的原子密度和电离率,同时电离产生的离子加速喷出过程中降低了与通道壁面作用,延长推力器寿命。它用于会切磁场等离子体推力器小功率工况下。 |
申请公布号 |
CN105736272A |
申请公布日期 |
2016.07.06 |
申请号 |
CN201610153168.5 |
申请日期 |
2016.03.17 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
刘辉;陈蓬勃;胡鹏;孙强强;于达仁 |
分类号 |
F03H1/00(2006.01)I |
主分类号 |
F03H1/00(2006.01)I |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 |
代理人 |
岳泉清 |
主权项 |
一种小功率会切磁场等离子体推力器的变截面通道结构,其特征在于,该通道由陶瓷通道和永磁铁构建,所述陶瓷通道为一体件结构,分为通道上游部分和通道下游部分两段,该一体件结构为从通道上游部分到通道下游部分渐扩的通道结构,该陶瓷通道的外壁面用于与永磁铁内壁面实现间隙配合,通道上游部分扩角范围为0°到20°,通道下游部分扩角范围为10°到30°。 |
地址 |
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |