一种基于PHEMT工艺的MMIC等效管芯模型

摘要

本发明公开了一种基于PHEMT工艺的MMIC的等效管芯模型。该等效管芯模型包括栅极、源极、漏极、热源、连接条a、连接条b。其中栅极、源极、漏极的尺寸与实际MMIC芯片中晶体管的尺寸一致。热源放置在栅极的下面，其长度和宽度与栅极一致，厚度为0.1微米，其热耗大小根据芯片中每级管芯栅宽平均分配得到。本发明实现了在通用的热分析软件中准确模拟PHEMT 工艺的MMIC管芯热分布，为整个芯片的电路设计以及可靠性设计提供了有效快捷的方法。

主权项

一种基于PHEMT工艺的MMIC的等效管芯模型，其特征在于，它包括栅极（1）、源极（2）、漏极（3）、热源（4）、连接条a（5）、连接条b（6），热源（4）与栅极（1）的栅长一致，宽度比栅极（1）的宽度长3μm，放置在栅极（1）的下表面，厚度为0.1μm，连接条a（5）连接栅极（1）、源极（2）、漏极（3）的左侧，且压着热源（4）的上表面，连接条b（6）连接栅极（1）、源极（2）、漏极（3）的右侧，且压着热源（4）的上表面。