半导体存储器件及其操作方法

摘要

操作半导体存储器件的方法包括：提供具有存储器单元串的存储器阵列，存储器单元串包括：具有串联连接的存储器单元的第一和第二存储器单元组；串联连接在第一和第二存储器单元组之间的第一和第二虚设元件；连接至第一和第二存储器单元组的漏极选择晶体管和源极选择晶体管，其中第一和第二存储器单元组设置在漏极选择晶体管与源极选择晶体管之间；在第一或第二存储器单元组的编程操作或读取操作期间，通过第一和第二虚设元件的操作，将第一存储器单元组电连接至第二存储器单元组；在存储器阵列的擦除操作中单独地执行第一和第二存储器单元组的擦除操作，同时地选择第一和第二虚设元件中与在选中的存储器单元组的擦除操作期间选中的存储器单元组相邻的一个。

主权项

一种半导体存储器件，包括：被配置成具有存储器单元串的存储器阵列，所述存储器单元串包括：具有串联连接的存储器单元的第一存储器单元组；具有串联连接的存储器单元的第二存储器单元组，其中在针对擦除操作而选中所述第一存储器单元组的情况下所述第二存储器单元组不被选中，而在针对擦除操作而选中所述第二存储器单元组的情况下所述第一存储器单元组不被选中；串联连接在所述第一存储器单元组与所述第二存储器单元组之间的第一虚设元件和第二虚设元件，其中所述第一虚设元件和所述第二虚设元件被配置成在选中的存储器单元的编程操作或读取操作期间将所述第一存储器单元组电连接到所述第二存储器单元组；以及连接至所述第一存储器单元组和所述第二存储器单元组的漏极选择晶体管和源极选择晶体管，其中所述第一存储器单元组和所述第二存储器单元组被设置在所述漏极选择晶体管与所述源极选择晶体管之间，其中，在针对擦除操作而选中的存储器单元组的擦除操作期间，第一虚设元件和第二虚设元件中与针对擦除操作而选中的存储器单元组相邻的一个被选中；第一选择电路，被配置成响应于块选择信号而输出经由第一全局字线提供的操作电压；第一子选择电路，被配置成响应于第一子选择信号而将从所述第一选择电路输出的操作电压提供至所述第一存储器单元组的字线；虚设选择电路，被配置成响应于块选择信号而输出经由第一全局虚设线和第二全局虚设线提供的操作电压；子虚设选择电路，被配置成响应于子虚设选择信号而将从所述虚设选择电路输出的第一全局虚设线的操作电压提供给至所述第一虚设元件，以及响应于所述子虚设选择信号而将从所述虚设选择电路输出的第二全局虚设线的操作电压提供给至所述第二虚设元件；第二选择电路，被配置成响应于所述块选择信号而输出经由第二全局字线提供的操作电压；以及第二子选择电路，被配置成响应于第二子选择信号而将从所述第二选择电路输出的操作电压提供至所述第二存储器单元组的字线。