发明名称 | 接触孔的制作方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种接触孔的制作方法。首先提供衬底,衬底上包括层间介质层;在层间介质层上形成抗反射层;在抗反射层上涂布光刻胶层;进行光刻工艺,在光刻胶层中形成第一开口;进行第一次干蚀刻工艺,经由所述第一开口蚀刻抗反射层及层间介质层,形成具有第一深度的沟槽;将所述光刻胶层中的第一开口缩小成为第二开口;以及进行第二次干蚀刻工艺,经由所述第二开口蚀刻所述层间介质层,形成具有第二深度的通孔。优点在于:仅需要进行单次的光刻工艺,配合一次的RELACS光刻胶扩大以及两次干蚀刻工艺,就可以形成接触孔,因此步骤上较为简单,而且省略了一道光掩膜,成本因此降低许多。 | ||
申请公布号 | CN103377986B | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
申请号 | CN201210112924.1 | 申请日期 | 2012.04.17 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 |
分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 江耀纯 |
主权项 | 一种接触孔的制作方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底上包括层间介质层;在所述层间介质层上形成抗反射层;在所述抗反射层上涂布光刻胶层;进行光刻工艺,在所述光刻胶层中形成第一开口;进行第一次干蚀刻工艺,经由所述第一开口蚀刻所述抗反射层及所述层间介质层,形成具有第一深度的沟槽,所述第一次干蚀刻工艺不会蚀穿所述层间介质层的全部厚度;通过由化学微缩辅助的分辨率增强光刻的光刻胶的扩大工艺,在不移除所述光刻胶层的情况下,将所述光刻胶层中的所述第一开口缩小成为第二开口,所述光刻胶的扩大工艺包括:在所述光刻胶层的表面及侧壁上形成能与所述光刻胶层产生交联反应的高分子材料层;以及进行第二次干蚀刻工艺,经由所述第二开口蚀刻所述层间介质层,形成具有第二深度的通孔,所述第二次干蚀刻工艺蚀穿层间介质层的剩余厚度,显露出所述衬底的表面。 | ||
地址 | 中国台湾桃园县 |