半导体器件、变容二极管及其形成方法

摘要

一种半导体器件、变容二极管及其形成方法，所述变容二极管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的N型阱区和P型阱区，所述N型阱区和P型阱区相邻；位于所述N型阱区、P型阱区上的栅极结构，所述栅极结构包括栅极、位于所述栅极周围的侧墙以及位于栅极和所述半导体衬底之间的栅介质层；位于所述N型阱区中的第一电极，位于所述P型阱区中的第二电极，所述第一电极、第二电极位于所述栅极结构的两侧。本发明的变容二极管增加了调节电容的调节方式，其电容随栅极电压变化的规律为新规律，克服现有技术中对电容不能进行微调的缺点。

主权项

一种变容二极管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成N型阱区和P型阱区，所述N型阱区和P型阱区接触相邻；在形成所述N型阱区、P型阱区后，在所述N型阱区、P型阱区上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极、位于所述栅极周围的侧墙以及位于栅极和所述阱区之间的栅介质层；在所述N型阱区中形成第一电极，在所述P型阱区中形成第二电极，所述第一电极、第二电极位于所述栅极结构的两侧。