无罩幕图案化植入的方法

摘要

一种于离子植入系统(400)中植入工件(100)的方法。此方法可包括提供邻近含有等离子(140)的等离子腔室(402)的萃取平板(101)，使萃取平板透过至少一个孔洞(407)由所述等离子中萃取离子(102)，所述孔洞提供具有分布于入射至工件的角度范围的离子的离子束。此方法可包括相对于所述萃取平板以扫瞄工件，以及于扫瞄期间改变等离子的功率位准从第一功率位准改变到第二功率位准；其中在所述工件的表面，在第一功率位准的第一束流宽(W1，W3)大于在第二功率位准的第二束流宽(W2)。

主权项

一种于离子植入系统植入工件的方法，包括：提供邻近等离子腔室的萃取平板，所述等离子腔室包含等离子，所述萃取平板设置以提供离子束，所述离子束具有分布于入射至小于所述工件面对所述萃取平板的整个表面的角度范围的离子；相对于所述萃取平板扫瞄所述工件；以及在所述扫瞄期间改变所述等离子的功率位准从第一功率位准到第二功率位准，其中在所述工件的所述表面，在所述第一功率位准的第一束流宽大于在所述第二功率位准的第二束流宽，萃取电压脉冲被施加于所述等离子及所述工件之间，于施加所述等离子的所述第一功率位准的区间时，施加所述萃取电压脉冲的第一工作循环，于施加所述等离子的所述第二功率位准的区间时，施加所述萃取电压脉冲的第二工作循环，所述第一工作循环与所述第二工作循环是不同的。