| 发明名称 | 互补型薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种互补型薄膜晶体管及其制造方法，所述互补型薄膜晶体管包含包含一基板、一N型半导体层、一P型半导体层及一刻蚀阻挡层；所述基板定义有相邻的一N型晶体管区及一P型晶体管区，所述N型半导体层设置在所述基板上方且位于所述N型晶体管区中，所述N型半导体层包含一金属氧化物材料，所述P型半导体层设置在所述基板上方且位于所述P型晶体管区中，所述P型半导体层包含一有机半导体材料，所述刻蚀阻挡层形成在所述N型半导体层上并位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中，且所述P型半导体层形成在所述刻蚀阻挡层上。 | ||
| 申请公布号 | CN105742308A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201610113712.3 | 申请日期 | 2016.02.29 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 曾勉;萧祥志;张盛东 |
| 分类号 | H01L27/28(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人 | 黄威 |
| 主权项 | 一种互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄膜晶体管包含：一基板，定义有相邻的一N型晶体管区及一P型晶体管区；一N型半导体层，设置在所述基板上方且位于所述N型晶体管区中，其中所述N型半导体层包含一金属氧化物材料；一P型半导体层，设置在所述基板上方且位于所述P型晶体管区中，其中所述P型半导体层包含一有机半导体材料；及一刻蚀阻挡层，形成在所述N型半导体层上并位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中，且所述P型半导体层形成在所述刻蚀阻挡层上。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 | ||