发明名称 |
半导体结构的形成方法 |
摘要 |
一种半导体结构的形成方法。所述形成方法首先提供半导体衬底,所述半导体衬底具有隔离结构,然后在半导体衬底上形成第一伪栅极和第二伪栅极,第一伪栅极和第二伪栅极至少部分位于隔离结构上方,之后对隔离结构进行刻蚀处理,以在隔离结构表面形成凹槽,后续形成第一主侧墙和第二主侧墙时,第一主侧墙和第二主侧墙能够形成在凹槽内壁,从而防止在后续采用硫酸去除残留金属层的过程中,高K介质层和帽盖层被硫酸侵蚀,从而防止半导体结构失效,提高半导体结构的良率。 |
申请公布号 |
CN105742248A |
申请公布日期 |
2016.07.06 |
申请号 |
CN201410748773.8 |
申请日期 |
2014.12.09 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
单朝杰;于书坤 |
分类号 |
H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8238(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
吴圳添;骆苏华 |
主权项 |
一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底具有隔离结构;在所述半导体衬底上形成第一伪栅极和第二伪栅极,所述第一伪栅极和第二伪栅极至少部分位于所述隔离结构上;对所述隔离结构进行刻蚀处理,以在所述隔离结构表面形成凹槽;在所述半导体衬底表面,所述第一伪栅极两侧,所述第二伪栅极两侧和所述凹槽中形成主侧墙材料层,所述主侧墙材料层同时填充所述凹槽内壁;刻蚀所述主侧墙材料层,以在第一伪栅极两侧形成第一主侧墙,在所述第二伪栅极两侧形成第二主侧墙,所述第一主侧墙和第二主侧墙同时形成在所述凹槽内壁。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |