一种正装LED发光二极管及其制作工艺

摘要

一种正装LED发光二极管及其制作工艺，涉及LED发光二极管技术领域。在外延层上图形化地刻蚀去除各元胞的P‑GaN层和量子阱层部分区域，直至暴露出N‑GaN层；在外延片表面利用溅射法蒸镀透明导电材料，通过光刻工艺，采用化学蚀刻方法，仅保留各元胞的P‑GaN层上的透明导电材料；在相邻的两个元胞中的一个元胞的透明导电层上制作P电极，在另一个元胞的透明导电层、P‑GaN层和量子阱层外包裹式制作N电极，N电极的下端连接在N‑GaN层上。本发明保留了N电极下方的部分P‑GaN及量子阱层，本发明工艺简单，将原本需要全部刻蚀掉的P‑GaN和MQW保留一部分，减少了ICP刻蚀完后的黑点现象的发生及良率的提升。

主权项

一种正装LED发光二极管，在衬底的同一侧包括依次设置的N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层和透明导电层，在透明导电层上设置P电极，在N‑GaN层上连接N电极，其特征在于在N电极与N‑GaN层之间包裹式设置透明导电层、P‑GaN层和量子阱层。