发明名称 一种薄膜太阳能电池及组件、以及二者的制备方法
摘要 本发明公开了一种薄膜太阳能电池及组件、以及二者的制备方法,包括以下步骤:在临时衬底上制备石墨烯薄膜作为薄膜太阳能电池前电极;将生长了石墨烯薄膜的临时衬底贴附在支撑基板上,然后制备薄膜太阳能电池体层及电池背电极;在电池背电极上涂覆层转移保护层;将临时衬底刻蚀掉;将前述电池转移至透明柔性衬底上;去除层转移保护层。采用本发明的方法,薄膜电池的制备可使用传统设备完成,避免了柔性衬底的耐温限制,并且石墨烯相对传统TCO电极的制备成本低;大幅简化了柔性薄膜电池的制备方法,降低了电池的制备成本。
申请公布号 CN103872178B 申请公布日期 2016.07.06
申请号 CN201410073083.7 申请日期 2014.02.28
申请人 江苏武进汉能光伏有限公司;汉能太阳能光伏科技有限公司 发明人 庄春泉;王勇;胡居涛;符政宽;吴卫民;王志强;赵沁灵
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 代理人 张晓霞
主权项 一种薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于包括以下步骤:步骤一:在临时衬底(8)上制备石墨烯薄膜作为薄膜太阳电池前电极(2);石墨烯薄膜的透光率高于90%,面电阻低于50Ω/sq;步骤二:将步骤一的生长了石墨烯薄膜的临时衬底(8)贴附在支撑基板上,然后制备薄膜太阳能电池体层(3)及电池背电极(4);步骤三:在电池背电极(4)上涂覆层转移保护层(9);步骤四:将临时衬底(8)刻蚀掉;步骤五:将前述电池转移至透明柔性衬底(1)上;步骤六:去除层转移保护层(9);所述步骤一中,若与薄膜太阳电池前电极(2)接触的为薄膜太阳能电池体层(3)的P层,则提升石墨烯功函数,使其高于步骤二中与薄膜太阳电池前电极(2)接触的薄膜太阳能电池体层(3)的P层的功函数,薄膜太阳电池前电极(2)与P层形成欧姆接触;若与薄膜太阳电池前电极(2)接触的为薄膜太阳能电池体层(3)的N层,则降低石墨烯功函数,使其低于步骤二中与薄膜太阳电池前电极(2)接触的薄膜太阳能电池体层(3)的N层的功函数;薄膜太阳电池前电极(2)与N层形成欧姆接触;所述步骤二还包括在薄膜太阳电池前电极(2)与薄膜太阳能电池体层(3)之间增加过渡层(10);若与过渡层(10)接触的为薄膜太阳能电池体层(3)的P层,则所述过渡层(10)的价带等于或高于与其接触的薄膜太阳能电池体层(3)的P层的价带,导带高于与其接触的薄膜太阳能电池体层(3)的P层的导带;若与过渡层(10)接触的为薄膜太阳能电池体层(3)的N层,则所述过渡层(10)的导带等于或低于与其接触的薄膜太阳能电池体层(3)的N层的导带,价带低于与其接触的薄膜太阳能电池体层(3)的N层的价带。
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