MOS管及其形成方法

摘要

一种MOS管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面覆盖有应力衬垫层，应力衬垫层表面覆盖有外延半导体层，外延半导体层表面具有绝缘层，绝缘层内具有贯穿其厚度的第一栅极结构以及位于第一栅极结构侧壁的侧墙；去除第一栅极结构、与第一栅极结构对应的外延半导体层和应力衬垫层，形成暴露出半导体衬底表面的开口；形成位于开口底部的电压控制层，电压控制层与应力衬垫层表面齐平；在开口内形成位于电压控制层表面的外延本征层，外延本征层与外延半导体层表面齐平；在所述开口的外延本征层表面形成第二栅极结构，第二栅极结构与所述绝缘层表面齐平。本发明实施例形成MOS管的工艺简单，MOS管的阈值电压低。

主权项

一种MOS管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面覆盖有应力衬垫层，所述应力衬垫层表面覆盖有外延半导体层，所述外延半导体层表面具有绝缘层，所述绝缘层内具有贯穿其厚度的第一栅极结构以及位于所述第一栅极结构侧壁的侧墙；去除所述第一栅极结构、与第一栅极结构对应的外延半导体层和应力衬垫层，形成暴露出所述半导体衬底表面的开口；形成位于所述开口底部的电压控制层，所述电压控制层与所述应力衬垫层表面齐平；在所述开口内形成位于所述电压控制层表面的外延本征层，所述外延本征层表面高于外延半导体层表面、或与所述外延半导体层表面齐平，所述外延本征层和电压控制层内掺杂的离子具有浓度梯度，且所述外延本征层的离子浓度小于所述电压控制层的离子浓度；在所述开口的外延本征层表面形成第二栅极结构，所述第二栅极结构与所述绝缘层表面齐平；形成第一栅极结构后，形成侧墙前，以所述第一栅极结构为掩膜向所述外延半导体层内轻掺杂离子，形成轻掺杂区；在形成侧墙后，形成绝缘层前，以所述第一栅极结构和侧墙为掩膜向所述外延半导体层内重掺杂离子，形成源/漏区。