发明名称 |
用于等离子处理装置的加热器 |
摘要 |
本发明公开一种用于等离子处理装置的加热器,该等离子反应器包括反应腔,反应腔顶部为绝缘窗,绝缘窗上依次设有加热器和线圈,加热器包括金属屏蔽防护层和加热电阻层;金属屏蔽防护层完全覆盖加热电阻层,等离子处理装置的线圈发出的射频功率依次穿过金属屏蔽防护层与加热电阻层进入等离子处理装置的反应腔;金属屏蔽防护层的电阻小于电热器的电阻。本发明在加热电阻层上覆盖电阻低于加热电阻层阻抗的金属屏蔽防护层,金属屏蔽防护层替代加热电阻层对线圈射频功率产生电容耦合,金属屏蔽防护层的低阻抗减小射频功率由于电容耦合在金属屏蔽防护层上产生的耦合电流,降低射频功率因电容耦合而造成的功率损失,避免了对源功率的磁场造成更多影响。 |
申请公布号 |
CN105742204A |
申请公布日期 |
2016.07.06 |
申请号 |
CN201410749988.1 |
申请日期 |
2014.12.10 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
万磊;梁洁;倪图强 |
分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 |
上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 |
代理人 |
张妍;张静洁 |
主权项 |
一种用于等离子处理装置的加热器,所述等离子反应器包括反应腔,反应腔顶部为一个绝缘窗,绝缘窗上依次设置有加热器和线圈,其特征在于,所述加热器包括金属屏蔽防护层和加热电阻层,金属屏蔽防护层与加热电阻层之间设有内绝缘层;所述金属屏蔽防护层完全覆盖加热电阻层,等离子处理装置的线圈发出的射频功率依次穿过金属屏蔽防护层与加热电阻层进入等离子处理装置的反应腔;所述金属屏蔽防护层的电阻小于电热器的电阻。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |