| 发明名称 | 互补型薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种互补型薄膜晶体管及其制造方法，所述互补型薄膜晶体管包含一基板、一N型半导体层、一P型半导体层、一第一钝化层、一第一电极金属层及一第二电极金属层，所述N型半导体层设置在所述基板上方，所述N型半导体层包含一金属氧化物材料；所述P型半导体层设置在所述N型半导体层上方，所述P型半导体层包含一有机半导体材料；所述第一钝化层设置在所述N型半导体层及所述P型半导体层之间，且形成有至少一接触过孔；所述第一电极金属层及第二电极金属层通过所述接触过孔电性连接。 | ||
| 申请公布号 | CN105742309A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201610113713.8 | 申请日期 | 2016.02.29 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 曾勉;萧祥志;张盛东 |
| 分类号 | H01L27/28(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人 | 黄威 |
| 主权项 | 一种互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄膜晶体管包含：一基板；一N型半导体层，设置在所述基板上方，其中所述N型半导体层包含一金属氧化物材料；一P型半导体层，设置在所述N型半导体层上方，其中所述P型半导体层包含一有机半导体材料；一第一钝化层，设置在所述N型半导体层及所述P型半导体层之间，且形成有至少一接触过孔；一第一电极金属层，形成在所述N型半导体层上；及一第二电极金属层，形成在所述第一钝化层上，所述第一电极金属层及第二电极金属层通过所述接触过孔电性连接。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 | ||