一种半导体整流器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体整流器，包括第一导电类型轻掺杂的外延层，外延层上部横向间隔设置有若干第一沟槽，第一沟槽内填充有导电多晶硅，导电多晶硅与第一沟槽之间设有隔离层，隔离层向上凸出形成介质墙壁，介质墙壁的两侧设有导电多晶硅侧墙，外延层上部与导电多晶硅侧墙之间的区域形成第二沟槽，外延层上部设有横向均匀掺杂区和梯度掺杂区，梯度掺杂区与隔离层接触形成沟道，外延层下部、横向均匀掺杂区、梯度掺杂区及隔离层之间设有间隔区。本发明采用沟槽栅结构，同时具有短沟道和沟道掺杂梯度分布，具有更佳的正向导通特性。本发明还公开了一种半导体整流器制造方法，工艺步骤简单，工艺窗口大，易于控制，光刻次数少，制造成本低。

主权项

一种半导体整流器，自上而下依次由阳极金属层（1）、第一导电类型轻掺杂的外延层（2）、第一导电类型重掺杂的单晶硅衬底（3）及阴极金属层（4）构成，所述外延层上部横向间隔设置有若干第一沟槽（5），所述第一沟槽内填充有导电多晶硅（6），所述导电多晶硅与第一沟槽之间设有隔离层（7），其特征在于，所述隔离层向上凸出形成介质墙壁（8），所述介质墙壁的两侧设有第一导电类型的导电多晶硅侧墙（9），外延层上部与介质墙壁外侧的导电多晶硅侧墙之间的区域形成第二沟槽（10），位于介质墙壁外侧的导电多晶硅侧墙底部设有高出于第二沟槽底部的第一导电类型重掺杂区（11），所述外延层上部设有将第二沟槽、第一导电类型重掺杂区和外延层隔开的第二导电类型非均匀掺杂区（12），所述第二导电类型非均匀掺杂区包括横向均匀掺杂区（13）和梯度掺杂区（14），所述梯度掺杂区位于横向均匀掺杂区两侧的上部与隔离层接触形成沟道（15），所述外延层下部、横向均匀掺杂区、梯度掺杂区及隔离层之间设有间隔区（16），所述横向均匀掺杂区在纵向具有掺杂梯度分布。