| 发明名称 | 发光二极管的电极制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种发光二极管的电极制备方法，其包括以下步骤：提供一半导体外延片，该半导体外延片包括欧姆接触层；在所述欧姆接触层的表面沉积一层氧化后可透明导电的金属薄膜，其中，沉积该金属薄膜时，所述半导体外延片的温度为室温；以及在含氧环境中对所述金属薄膜进行退火形成一透明导电且表面粗糙的电极层。本发明提供的发光二极管的电极制备方法，在室温下沉积金属薄膜，不仅节约能源，而且沉积金属薄膜时设备的真空度容易维持，有利于图形电极的制备，从而降低了制备成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105742449A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201610199036.6 | 申请日期 | 2016.04.01 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 罗毅;韩彦军;李洪涛;王健 |
| 分类号 | H01L33/38(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/38(2010.01)I |
| 代理机构 | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人 | 娜拉 |
| 主权项 | 一种发光二极管的电极制备方法，其包括以下步骤：提供一半导体外延片，该半导体外延片包括欧姆接触层；在所述欧姆接触层的表面沉积一层氧化后可透明导电的金属薄膜，其中，沉积该金属薄膜时，所述半导体外延片的温度为室温；以及在含氧环境中对所述金属薄膜进行退火形成一表面粗糙的金属氧化物透明电极。 | ||
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