一种平面非易失性阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种平面非易失性阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器在衬底的水平方向上形成电极‑阻变层‑电极的平面结构；采用侧墙结构制备阻变层，通过适当的设计可以在一定程度上控制侧墙的厚度和宽度；利用侧墙加上选择性腐蚀工艺可以实现小尺寸纳米级水平“宽度”的阻变层，也就是制作平面阻变存储器所需的两个电极之间的间隙。采用这种方法巧妙的避开了工艺和设备带来的局限性，即使不采用现有最先进的工艺也可实现小尺寸纳米级的器件，并且本发明中所采用的工艺完全兼容CMOS的工艺制程，扩大了其应用的范围；纳米平面阻变存储器的制备不仅对于阻变存储器的研究有着重要意义，对于业界阻变存储器的制备工艺也着重要作用。

主权项

一种平面非易失性阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器包括：衬底、阻变层侧墙结构和两个电极；其中，相互对应的两个电极分布在衬底上，所述两个电极之间由阻变材料形成的阻变层侧墙结构分隔，在水平方向上形成电极‑阻变层‑电极的平面结构；所述阻变层侧墙结构的厚度与电极的厚度一致；所述阻变层侧墙结构的宽度即是两个电极之间的间隙水平距离。