改善MOS器件性能的方法及MOS器件结构

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种改善MOS器件性能的方法及MOS器件结构，通过金属硅化工艺形成延伸至栅极侧墙下方的金属硅化物层，进而缩小金属硅化物层与栅极之间的距离，以达到降低器件沟道表面电阻的目的，而通过在源极区的衬底中嵌入设置金属层，或形成全金属硅化的源极区和漏极区，则能进一步的降低器件的漏极感应势垒降低效应(DIBL)以及短沟道效应(SCE)，进而提高MOS器件的性能及良率。

主权项

一种改善MOS器件性能的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半导体衬底，并于所述半导体衬底之上制备包括有侧墙的栅堆叠结构，且所述侧墙具有第一厚度；于轻掺杂工艺后，对所述侧墙进行增宽操作，以将所述侧墙的厚度增加至第二厚度；进行第一金属硅化工艺，以形成延伸至所述侧墙下方的第一金属硅化物区；继续源/漏区制备工艺。