用于半导体器件的中介层及其制造方法

摘要

本发明公开了用于半导体器件的中介层及其制造方法。在一个实施例中，一种中介层包括：衬底；在衬底上设置的接触焊盘；以及位于衬底中的连接至接触焊盘的第一通孔；连接至第一通孔的第一熔丝；位于衬底中的连接至接触焊盘的第二通孔；以及连接至第二通孔的第二熔丝。

主权项

一种中介层，包括：衬底；接触焊盘，被设置在所述衬底上；第一通孔，位于所述衬底中，具有直接连接至所述接触焊盘的第一端；第一熔丝，设置在第一导电段的第一连接区域和第二连接区域之间，并且通过所述第一导电段的第二连接区域连接至所述第一通孔的第二端；第二通孔，位于所述衬底中，具有直接连接至所述接触焊盘的第一端；以及第二熔丝，设置在第二导电段的第一连接区域和第二连接区域之间，并且通过所述第二导电段的第二连接区域连接至所述第二通孔的第二端；其中，所述第一熔丝和所述第二熔丝被设置在再分布层(RDL)中，所述再分布层(RDL)和所述接触焊盘分别位于所述衬底的相对两侧上。