一种TSV填孔方法

摘要

本发明公开了一种TSV填孔方法，包括如下步骤：利用挥发性的有机溶剂将液态的有机材料单体稀释成有机材料单体溶液；将做好硅微孔的芯片进行等离子表面清洗；将等离子表面清洗过的芯片放入有机材料单体溶液中，使有机材料单体溶液浸满硅微孔；将芯片从有机材料单体溶液中取出放入真空设备中，进行抽真空，将硅微孔中的气泡抽掉，同时使有机溶剂从硅微孔中气化挥发出来；将吸附在硅微孔的孔壁上的有机材料单体固化，形成绝缘层；对芯片进行金属化工艺。本发明通过上述步骤在硅微孔内形成从孔口到孔底，厚度逐渐增大的绝缘层，当硅微孔孔口的绝缘层满足电子性能要求，硅微孔孔内的绝缘层一定满足电气性能要求。

主权项

一种TSV填孔方法，其特征在于，包括如下步骤：利用挥发性的有机溶剂将液态的有机材料单体稀释成有机材料单体溶液；将做好硅微孔的芯片进行等离子表面清洗；将所述等离子表面清洗过的所述芯片放入所述有机材料单体溶液中，使所述有机材料单体溶液浸满所述硅微孔；将所述芯片从所述有机材料单体溶液中取出放入真空设备中，进行抽真空，将所述硅微孔中的气泡抽掉，同时使所述有机材料单体溶液中的所述有机溶剂从所述硅微孔中气化挥发出来；随着所述有机溶剂的挥发，所述有机材料单体溶液的液面下降、浓度增加，使涂覆在所述硅微孔的孔壁上的所述有机材料单体越靠近孔底越厚；将吸附在所述硅微孔的孔壁上的所述有机材料单体固化，形成绝缘层；对所述芯片进行金属化工艺。