发明名称 参考电流源及参考电流产生电路
摘要 一种参考电流源和参考电流产生电路。所述参考电流源包括:正温度系数产生电路、负温度系数产生电路和控制电路,所述正温度系数产生电路用于产生具有正温度系数的第一电流;所述负温度系数产生电路用于产生具有负温度系数的第二电流;所述控制电路连接所述正温度系数产生电路和负温度系数产生电路,用于对所述第一电流和第二电流进行加总以产生参考电流,所述参考电流的温度系数可调。本发明技术方案的参考电流源可精确的调节参考电流的温度系数,并且其结构简单、应用范围广泛。
申请公布号 CN103529896B 申请公布日期 2016.07.06
申请号 CN201210226680.X 申请日期 2012.07.02
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 何洪楷;刘启付;曹羽欧;翟大伦
分类号 G05F1/567(2006.01)I 主分类号 G05F1/567(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种参考电流源,其特征在于,包括:正温度系数产生电路、负温度系数产生电路和控制电路,所述正温度系数产生电路用于产生具有正温度系数的第一电流;所述负温度系数产生电路用于产生具有负温度系数的第二电流;所述控制电路连接所述正温度系数产生电路和负温度系数产生电路,用于对所述第一电流和第二电流进行加总以产生参考电流,所述参考电流的温度系数可调;所述正温度系数产生电路包括:第一MOS管、第二MOS管、第一放大器、第一电阻、第一三极管和第二三极管;所述第一MOS管的源极连接电源电压,栅极连接第二MOS管的栅极,漏极连接第一电阻的第一端和第一放大器的正相输入端;所述第一电阻的第二端连接第二三极管的发射极;所述第二三极管的基极与集电极相连且连接至地;所述第二MOS管的源极连接电源电压,漏极连接第一三极管的发射极和第一放大器的负相输入端;所述第一放大器的输出端连接第一MOS管和第二MOS管的栅极,输出第一电压;所述第一三极管的基极与集电极相连且连接至地;其中,所述第一MOS管的漏极电流为第一电流;所述负温度系数产生电路包括:第三MOS管、第二电阻、第一三极管和第二放大器;所述第三MOS管的源极连接电源电压,栅极连接第二放大器的输出端,漏极连接第二电阻的第一端和第二放大器的正相输入端;第二电阻的第二端接地;所述第二放大器的负相输入端连接第一三极管的发射极,输出端输出第二电压;其中,所述第三MOS管的漏极电流为第二电流;所述正温度系数产生电路和所述负温度系数产生电路共用所述第一三极管,共同借助于所述第一三极管的基极和发射极之间的电压差来产生第一电流和第二电流;所述控制电路包括:两个MOS管和多个控制支路,其中,一个MOS管的栅极接收第一电压,另一个MOS管的栅极接收第二电压,所述多个控制支路选择性地连接至所述两个MOS管,所述参考电流为所述两个MOS管的漏极电流与被选择连接至所述两个MOS管的控制支路的电流之和;所述两个MOS管为第六MOS管和第七MOS管,所述多个控制支路分成第一控制支路组和第二控制支路组,各控制支路分别包括一个电子开关和一个MOS管;所述第六MOS管的源极连接电源电压,栅极接收所述第一电压;所述第七MOS管的源极连接电源电压,栅极接收所述第二电压,漏极与第六MOS管的漏极相连;所述第一控制支路组的各控制支路中的MOS管的源极连接电源电压,漏极连接所述第六MOS管的漏极;所述第一控制支路组的各控制支路中的电子开关的一端连接同一控制支路中的MOS管的栅极,另一端连接所述第六MOS管的栅极;所述第二控制支路组的各控制支路中的MOS管的源极连接电源电压,漏极连接所述第七MOS管的漏极;所述第二控制支路组的各控制支路中的电子开关的一端连接同一控制支路中的MOS管的栅极,另一端连接所述第七MOS管的栅极;所述电子开关为MOS开关;控制电路包括4个控制支路。
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