一种发光二极管外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的低温缓冲层、高温非掺杂GaN层、第一缺陷阻挡层、N型GAN层、应力释放层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GAN层、P型接触层，N型GAN层中插入有第二缺陷阻挡层，第一缺陷阻挡层包括交替层叠的AlGaN层和GaN层，第二缺陷阻挡层包括交替层叠的SiN膜层和N型AlGaN层，应力释放层包括交替层叠的InGaN层和GaN层。本发明有效抑制由于晶格失配所形成的缺陷延伸至多量子阱层，增强应力释放，提高晶体质量，减少漏电通道，提高LED芯片的抗静电能力，提高产品良率。

主权项

一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的低温缓冲层、高温非掺杂GaN层、N型GAN层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GAN层、P型接触层，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括设置在所述高温非掺杂GaN层和所述N型GAN层之间的第一缺陷阻挡层、插入在所述N型GAN层中的第二缺陷阻挡层、设置在所述N型GAN层和所述多量子阱层之间的应力释放层，所述第一缺陷阻挡层包括交替层叠的AlGaN层和GaN层，所述第二缺陷阻挡层包括交替层叠的SiN膜层和N型AlGaN层，所述应力释放层包括交替层叠的InGaN层和GaN层。