| 发明名称 | 半导体器件制备方法以及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件制备方法以及半导体器件。本发明的半导体器件制备方法包括：提供半导体基体，在所述半导体基体内的静态随机存储器区域中形成浅沟槽隔离，并且随后在所述半导体基体上布置掩膜层；图案化蚀刻半导体基体形成凹陷；在凹陷内外延生长锗含量恒定的第一SiGe种子层；在第一SiGe种子层上外延生长锗含量恒定的第二SiGe层；其中第二SiGe层的锗含量高于第一SiGe种子层；在第二SiGe层上外延生长锗含量低于第二SiGe层且锗含量恒定的第三SiGe层；在第三SiGe层上形成盖帽层。 | ||
| 申请公布号 | CN105742284A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201610107952.2 | 申请日期 | 2016.02.26 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 黄秋铭;谭俊;高剑琴;钟健 |
| 分类号 | H01L27/11(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种半导体器件制备方法，其特征在于包括：第一步骤：提供半导体基体，在所述半导体基体内的静态随机存储器区域中形成浅沟槽隔离，并且随后在所述半导体基体上布置掩膜层；第二步骤：图案化蚀刻半导体基体形成凹陷；第三步骤：在凹陷内外延生长锗含量恒定的第一SiGe种子层；第四步骤：在第一SiGe种子层上外延生长锗含量恒定的第二SiGe层；其中第二SiGe层的锗含量高于第一SiGe种子层；第五步骤：在第二SiGe层上外延生长锗含量低于第二SiGe层且锗含量恒定的第三SiGe层；第六步骤：在第三SiGe层上形成盖帽层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||