MOS晶体管及其形成方法

摘要

一种MOS晶体管及其形成方法。在MOS晶体管的沟槽内填入能对源漏区之间的沟道区施加压应力或拉应力的金属，上述金属同时充当部分金属栅极，由于沟道被施加了拉应力或压应力，从而提高了相应载流子的迁移率，进而增大了MOS晶体管的开态电流，提高了驱动能力和加快了运行速率。

主权项

一种MOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有沟槽，所述沟槽侧壁形成有高K栅氧化层；金属栅极，包括位于高K栅氧化层上并填满所述沟槽的第一金属栅极层，以及位于所述第一金属栅极层上的第二金属栅极层，所述第二金属栅极层位于所述沟槽外；分别位于所述沟槽两侧内的源区与漏区，所述源区与漏区之间的半导体衬底形成沟道区；其中，所述第一金属栅极层能对所述沟道区施加拉应力或压应力。