| 发明名称 | 一种集成电路、电容器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种集成电路、电容器件及其制作方法。该方法包括：在金属氧化物半导体MOS的表面形成第一金属层，所述第一金属层包括第一金属图案和与第一金属图案绝缘的第二金属图案，所述第一金属图案覆盖与MOS的栅极区域垂直相对的区域，且通过过孔与所述MOS的源极区域和漏极区域连接，所述第二金属图案通过过孔与所述MOS的栅极区域连接；在所述第一金属层的表面形成介电层；在所述介电层的表面设置金属氧化物金属MOM电容，所述MOM电容一端连接所述MOS的源极区域和漏极区域，另一端连接所述MOS的栅极区域。该方法用于解决MOS电容、MOM电容和MIM电容并联架构制作工艺复杂的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN105742246A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201410753097.3 | 申请日期 | 2014.12.09 |
| 申请人 | 炬芯（珠海）科技有限公司 | 发明人 | 江文;关英 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 郭丽 |
| 主权项 | 一种电容器件的制作方法，其特征在于，包括：在金属氧化物半导体MOS的表面形成第一金属层，所述第一金属层包括第一金属图案和与第一金属图案绝缘的第二金属图案，所述第一金属图案覆盖与MOS的栅极区域垂直相对的区域，且通过过孔与所述MOS的源极区域和漏极区域连接，所述第二金属图案通过过孔与所述MOS的栅极区域连接；在所述第一金属层的表面形成介电层；在所述介电层的表面设置金属氧化物金属MOM电容，所述MOM电容一端连接所述MOS的源极区域和漏极区域，另一端连接所述MOS的栅极区域。 | ||
| 地址 | 519085 广东省珠海市唐家湾镇高新区科技四路1号1#厂房一层C区 | ||