一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构

摘要

本实用新型属于半导体封装技术领域，涉及一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构，包括金属屏蔽层、胶封体、阻焊层、镍或金层、单层基板、BT树脂层、封装元件、引脚，金属屏蔽层覆盖在单层超薄基板封装结构除底层外的表面上，金属屏蔽层的厚度大于1 um；封装结构的单层基板的厚度为0.05-0.3 mm。本实用新型实现对超薄封装结构金属屏蔽层的有效涂覆，使封装结构达到良好的电磁屏蔽和电磁兼容性能，采用半切（Half cut）工艺，一次性对整条单层超薄基板封装产品进行金属屏蔽层涂覆，从而提高生产效率；并在后续的单层超薄基板封装产品的引脚处，植锡球或印刷锡膏,或者通过化学沉积工艺沉积Ni/Au，有效避免引脚电镀时短路的缺陷。

主权项

一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构，包括金属屏蔽层、胶封体、阻焊层、镍或金层、单层基板、BT树脂层、封装元件、引脚，其特征在于：所述的金属屏蔽层覆盖在单层超薄基板封装结构除底层外的表面上，金属屏蔽层的厚度大于1 um；封装结构的单层基板的厚度为0.05‑0.3 mm。