一种采用倒装结构的GaN基双波长LED芯片

摘要

本实用新型公开了一种采用倒装结构的GaN基双波长LED芯片，包括陶瓷基板以及通过焊锡倒置安装在陶瓷基板上的LED外延片，LED外延片从上至下包括衬底、未掺杂GaN层、n型GaN层、有源层以及p型GaN层，所述有源层包括第一量子阱和第二量子阱，第一量子阱的发光波长为480nm～550nm，第二量子阱的发光波长为420nm～480nm。本实用新型的LED芯片采用倒装结构，其制作方便，光出射效率高；两种特定发光波长的量子阱所发出的光线分别为蓝光和绿光，激发特定种类的红光荧光粉得到红光，三者混合形成白光，从而达到良好的发光效果。

主权项

一种采用倒装结构的GaN基双波长LED芯片，包括陶瓷基板以及通过焊锡倒置安装在陶瓷基板上的LED外延片，其特征在于：所述LED外延片从上至下包括衬底、未掺杂GaN层、n型GaN层、有源层以及p型GaN层，n型GaN层和p型GaN层上分别设有与焊锡接触的电极，所述有源层包括第一量子阱和第二量子阱，第一量子阱的发光波长为480nm～550nm，第二量子阱的发光波长为420nm～480nm。