| 发明名称 | 包括二极管的半导体装置和制造半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了包括二极管的半导体装置和制造半导体装置的方法，该半导体装置包括第一导电类型的半导体主体中的晶体管单元阵列。所述半导体装置还包括所述晶体管单元阵列中在晶体管单元之间的第一沟槽。所述第一沟槽从第一侧面延伸到所述半导体主体并包括在侧壁电耦合至所述半导体主体的pn结二极管。 | ||
| 申请公布号 | CN103579223B | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201310314298.9 | 申请日期 | 2013.07.24 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 托尔斯滕·迈尔;安德烈亚斯·迈塞尔 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：第一导电类型的半导体主体中的晶体管单元区域；所述晶体管单元区域中在晶体管单元之间的第一沟槽，其中所述第一沟槽从第一侧面延伸到所述半导体主体中并包括在侧壁电耦合至所述半导体主体的pn结二极管；其中，所述pn结二极管的击穿电压小于所述晶体管单元的主体区域和漂移区域之间的击穿电压。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市 | ||