| 发明名称 | 具有场终止结构的IGBT背面多晶硅保护层的去除方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有场终止结构的IGBT背面多晶硅保护层的去除方法。该方法包括热氧化在所述IGBT背面的多晶硅保护层直到氧化终止于位于所述多晶硅保护层之上的栅氧层以形成二氧化硅层，以及利用干法刻蚀去除所形成的二氧化硅层以及栅氧层。本发明所述的保护层去除方法更易于控制。 | ||
| 申请公布号 | CN103578972B | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201210260773.4 | 申请日期 | 2012.07.26 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 发明人 | 芮强;张硕;王根毅;邓小社 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 杜娟娟;李家麟 |
| 主权项 | 一种具有场终止结构的IGBT背面多晶硅保护层的去除方法，其特征在于，所述方法包括：热氧化所述IGBT背面的多晶硅保护层，直到氧化终止于位于所述多晶硅保护层之上的栅氧层，以形成二氧化硅层；及利用干法刻蚀去除所形成的二氧化硅层以及栅氧层。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||