发明名称 |
一种MOS管放大电路 |
摘要 |
本实用新型公开了一种MOS管放大电路,包括电阻R1、电容C1、三极管VT1、MOS管Q1、三极管VT2和三极管VT3,所述三极管VT1基极连接输入信号Vi,三极管VT1发射极分别连接电容C2和三极管VT2发射极,三极管VT1集电极分别连接电阻R1、电容C1和三极管VT4基极,三极管VT2集电极分别连接电阻R2和三极管VT3基极,三极管VT3集电极接地,三极管VT3发射极分别连接电阻R3和三极管VT4发射极,三极管VT4集电极连接三极管VT5集电极。本实用新型MOS管放大电路采用三极管配合MOS管使用,VT5、R4、R6组成恒压源电路,为VT6、VT7提供适当的直流偏置,防止Q1、Q2产生交越失真,稳定性高。 |
申请公布号 |
CN205356278U |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201620110185.6 |
申请日期 |
2016.02.03 |
申请人 |
陈志择 |
发明人 |
陈志择 |
分类号 |
H03F3/45(2006.01)I |
主分类号 |
H03F3/45(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种MOS管放大电路,包括电阻R1、电容C1、三极管VT1、MOS管Q1、三极管VT2和三极管VT3,其特征在于,所述三极管VT1基极连接输入信号Vi,三极管VT1发射极分别连接电容C2和三极管VT2发射极,三极管VT1集电极分别连接电阻R1、电容C1和三极管VT4基极,三极管VT2集电极分别连接电阻R2和三极管VT3基极,三极管VT3集电极接地,三极管VT3发射极分别连接电阻R3和三极管VT4发射极,三极管VT4集电极连接三极管VT5集电极,三极管VT5基极分别连接电阻R4和电阻R6,电阻R4另一端分别连接电容C1另一端和三极管VT6基极,电阻R6另一端连接三极管VT7基极,三极管VT7发射极连接电阻R7,电阻R7另一端分别连接三极管VT6发射极和MOS管Q1的G极,MOS管Q1的D极分别连接电源VCC、电阻R3另一端、电阻R2另一端和电阻R1另一端,MOS管Q1的S极分别连接输出端Vo、MOS管Q2的D极和电阻R5,电阻R5另一端连接三极管VT2基极,MOS管Q2的G极分别连接三极管VT7集电极和电阻R8,电阻R8另一端分别连接MOS管Q2的S极、三极管VT5发射极和电容C2另一端并接地。 |
地址 |
362302 福建省泉州市南安市霞美镇霞美村霞新新厝角21号 |