| 摘要 |
【課題】同一の記憶容量に対して小さい面積で形成することができる多値ＤＲＡＭなどの半導体記憶装置を提供する。【解決手段】ワード線に接続された選択用トランジスタと、ビット線に選択用トランジスタを介して接続され複数値を記憶する第１の蓄電キャパシタとをそれぞれ備えた複数のメモリセルを有する多値ＤＲＡＭである半導体記憶装置において、複数のビット線に対応して設けられ、第２の蓄電キャパシタを含む複数のサンプルホールド回路と、複数のビット線に対応して各サンプルホールド回路の後段に設けられ、各メモリセルからデータを各サンプルホールド回路を介して読み出してディジタル値に変換する複数のシングルスロープ型ＡＤ変換器と、ディジタル値に対応する電圧を、各メモリセルをリフレッシュするために各メモリセルに印加し、書き込みデータのディジタル値に対応する電圧を各メモリセルに印加するメモリコントローラとを備える。【選択図】図５ |
