发明名称 半導体記憶装置
摘要 【課題】 消去後のデータがプログラムされたデータかを識別する識別情報を付加することなくデータスクランブルを行い、かつ信頼性を向上させる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 本発明のフラッシュメモリは、入出力バッファ110とページバッファ160との間にデータのスクランブルを行うスクランブル部120を含む。スクランブル部120は、書込みエンコーダ200と読出しデコーダ220を含み、書込みエンコーダ200は、入力データが一定のビット列に該当する場合には、その入力データのスクランブルをスキップし、読出しデコーダ220は、ページバッファ160の読出しデータが一定のビット列に該当する場合には、その読出しデータのデスクランブルをスキップする。【選択図】 図5
申请公布号 JP5940704(B1) 申请公布日期 2016.06.29
申请号 JP20150064388 申请日期 2015.03.26
申请人 ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション 发明人 須藤 直昭
分类号 G11C16/02;G06F12/16;G11C16/04 主分类号 G11C16/02
代理机构 代理人
主权项
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