半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供具有隔离结构的衬底；在相邻隔离结构之间的部分衬底表面形成栅极结构；在栅极结构两侧的衬底内形成暴露出隔离结构侧壁的凹槽；对所述暴露出的隔离结构侧壁进行氮化处理，在隔离结构侧壁表面形成抗腐蚀层；在形成抗腐蚀层之后，对凹槽的底部和侧壁表面进行清洗处理；形成填充满所述凹槽的应力层。本发明能够防止清洗处理对隔离结构造成刻蚀，使得隔离结构保持有良好的形貌，为形成应力层提供良好的界面性能，并且，使得隔离结构保持有良好的电隔离性能，优化形成的半导体器件的电学性能。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供具有隔离结构的衬底；在所述相邻隔离结构之间的部分衬底表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的衬底内形成凹槽，且所述凹槽暴露出隔离结构的侧壁；对所述暴露出的隔离结构侧壁进行氮化处理，在所述隔离结构侧壁表面形成抗腐蚀层；在形成所述抗腐蚀层之后，对所述凹槽的底部和侧壁表面进行清洗处理；形成填充满所述凹槽的应力层。