| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成牺牲图形；采用沉积设备，在所述牺牲图形和衬底上沉积侧墙材料层，刻蚀所述侧墙材料层，在所述牺牲图形侧壁形成侧墙；以所述侧墙为硬掩膜，刻蚀所述衬底，形成半导体图形。采用沉积设备在所述牺牲图形和衬底上沉积侧墙材料层，在所述沉积侧墙材料层的过程中，所述沉积设备的输出射频功率在第一功率和第二功率间切换，所述第一功率和第二功率的频率不同。能够使侧墙材料层内部产生的拉伸应力和压缩应力部分相互抵消，从而在刻蚀侧墙材料层形成侧墙之后，侧墙中的总体应力较小，不容易发生变形。以所述侧墙为掩膜形成半导体图形的特征尺寸更小。 | ||
| 申请公布号 | CN105719954A | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201410734541.7 | 申请日期 | 2014.12.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 周祖源;诸海丰 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成牺牲图形；采用沉积设备在所述牺牲图形和衬底上沉积侧墙材料层，在所述沉积侧墙材料层的过程中，所述沉积设备的输出射频功率在第一功率和第二功率间切换，所述第一功率和第二功率的频率不同；刻蚀所述侧墙材料层，在所述牺牲图形侧壁形成侧墙；去除所述牺牲图形；以所述侧墙为掩膜刻蚀所述衬底，形成半导体图形。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||