直径转变的直拉单晶硅生长方法

摘要

本发明公开了一种直径转变的直拉单晶硅生长方法；包括如下步骤：A、根据晶棒从头至尾轴向电阻率分布情况以及不同尺寸硅片的电阻率需求情况，设定需要转变的单晶直径大小以及一个开始直径转变的单晶等径长度L；B、进行正常的直拉单晶硅生产，包括熔料、稳温、引晶、放肩以及转肩步骤；C、根据步骤A设定的直径转变大小和直径转变长度，进行第一个等径生长步骤，当第一个等径生长步骤的单晶等径生长至指定长度L时，开始进行直径转变；D、单晶硅的直径转变为需要的直径后，再进行下一个等径生长步骤；E、单晶硅棒的长度达到生产要求后进行收尾过程。

主权项

直径转变的直拉单晶硅生长方法；其特征是：包括如下步骤：a、采用6英寸单晶生长工艺，目标电阻率为55Ω·cm，拉速为0.6～1.4mm/min，晶转为10～20rpm，埚转为6～12rpm，氩气流量为30～80slpm，炉内压力为12～20torr；b、设定直径转变长度L为450mm；c、当6英寸单晶等直径生长至长度450mm时，根据6英寸晶棒从头至尾轴向电阻率的分布情况，此时单晶电阻率降低至45Ω·cm；进入收尾步骤，将单晶缩小至5～10mm；收尾过程中以0.03/hr～0.08/hr逐渐调小埚跟比，降低埚升速率以保持液面位置；d、开始3英寸单晶的放肩步骤，设定放肩拉速为0.5～0.8mm/min，线性降温速率为10℃/hr，快速地放大单晶；e、待晶体直径放大到3英寸单晶目标直径后，切换至3英寸单晶生长工艺，拉速为1～2mm/min，晶转为10～20rpm，埚转为6～12rpm，氩气流量为30～80slpm，炉内压力为12～20torr；f、投入转肩等径步骤，缓慢调节拉速维持晶体等直径生长，相对稳定后打开自动等径控制程序，进入自动等径控制阶段，等径至工艺要求长度时，进行收尾至一点，停炉冷却。