鳍式场效应晶体管的制作方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍部；在所述鳍部的上表面及相对两侧面形成栅介质层；形成牺牲栅，所述牺牲栅横跨部分的所述鳍部，所述牺牲栅的横跨所述鳍部的部分位于所述栅介质层上；去除所述牺牲栅，暴露出所述栅介质层，所述栅介质层覆盖所述沟道区；向沟道区进行锗离子注入，形成应变硅锗沟道区；在应变硅锗沟道区上方形成横跨所述鳍部和栅介质层的栅极。本发明的方法能形成局部的应变硅锗沟道区，应变硅锗具有较高的载流子迁移率，从而利用应变硅锗沟道区能够在Fin-FET中实现较高的驱动电流。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍部，所述鳍部具有沟道区；在所述鳍部的上表面及相对两侧面形成栅介质层；形成牺牲栅，所述牺牲栅横跨部分的所述鳍部，所述牺牲栅的横跨所述鳍部的部分位于所述栅介质层上，并且位置对应于所述沟道区；形成覆盖层，所述覆盖层覆盖所述牺牲栅两侧的鳍部；去除所述牺牲栅，暴露出所述栅介质层，所述栅介质层暴露出来的部分覆盖所述沟道区；向沟道区进行锗离子注入，形成应变硅锗沟道区,所述向沟道区进行锗离子注入包括进行第一锗离子注入和第二锗离子注入，所述第一锗离子注入比所述第二锗离子注入的注入能量高2～10倍；在应变硅锗沟道区上方形成横跨所述鳍部和栅介质层的栅极。