晶体管及其形成方法

摘要

一种晶体管及其形成方法，所述晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行阈值调整注入，形成阈值调整层；在所述阈值调整层表面形成缓冲层，所述缓冲层为掺杂了IV族离子的硅层；在所述缓冲层表面形成本征层；在所述本征层表面形成栅极结构。所述晶体管的形成方法，可以提高晶体管的沟道区域的载流子的迁移率，提高晶体管的性能。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底表面进行阈值调整注入，形成阈值调整层；在所述阈值调整层表面形成缓冲层，所述缓冲层为掺杂了IV族离子的硅层，所述缓冲层的形成方法包括：在所述阈值调整层表面形成外延硅层，然后对所述外延硅层进行表面非晶化注入使所述外延硅层表面非晶化，再进行退火使所述外延硅层表面再结晶；在所述缓冲层表面形成本征层；在所述本征层表面形成栅极结构；在所述栅极结构的两侧的半导体衬底内形成源极和漏极。