用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法

摘要

本发明提供用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，在该方法中p型覆层具有均一的Mg浓度。p型覆层具有其中交替和重复地沉积AlGaN和InGaN的超晶格结构，并且在其中Mg掺杂剂气体的供给量不同的前过程和后过程的两个阶段中形成。在后过程中Mg掺杂剂气体的供给量是前过程中的一半或更少。在前过程中的第一p型覆层的厚度为是p型覆层的60%或更少，并且为或更小。

主权项

一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述第III族氮化物半导体发光器件具有在发光层上的p型覆层，所述p型覆层包含含有Al的第III族氮化物半导体，其中以其中通过MOCVD在所述发光层上形成第一p型覆层的前过程以及以其中通过MOCVD在所述第一p型覆层上形成第二p型覆层的后过程来形成所述p型覆层；并且在所述后过程中Mg掺杂剂气体的供给量是在所述前过程中Mg掺杂剂气体的供给量的一半或更少，并且由此得到如下所述的Mg浓度分布，其中在所述Mg浓度从所述发光层和所述p型覆层之间的界面附近朝p型接触层急剧增加之后，所述Mg浓度几乎保持恒定，并且随后所述Mg浓度在p型覆层和p型接触层之间的界面附近急剧下降。