选择性形成高K介质层的方法

摘要

一种选择性形成高K介质层的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域；在第一区域的半导体衬底上形成第一氧化硅层；将半导体衬底置于原子层沉积腔室中；在第一区域的第一氧化硅层和第二区域的半导体衬底表面形成第二高K材料层，第一区域的第二高K材料层厚度大于第二区域的第二高K材料层的厚度；通入刻蚀气体，去除第二区域的第二高K材料层，在第一区域的第一氧化硅层表面形成第三高K材料层；重复第二高K材料层形成步骤和通入刻蚀气体的步骤，直至在第一区域的第一氧化硅层表面形成第一高K介质层。通过本方法，选择性的在第一区域的第一氧化硅层表面形成第一高K介质层。

主权项

一种选择性形成高K介质层的方法，其特征在于，包括：步骤S21，提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域；步骤S22，在第一区域的半导体衬底上形成第一氧化硅层；步骤S23，将半导体衬底置于原子层沉积腔室中；步骤S24，通入第一前驱物，在第一区域的第一氧化硅层和第二区域的半导体衬底表面形成吸附层；步骤S25，排出残留的第一前驱物和第一反应产物；步骤S26，通入第二前驱物，第二前驱物与吸附层反应，形成第一高K材料层，第一区域的第一氧化硅层表面的第一高K材料层的覆盖率大于第二区域的半导体衬底表面的第一高K材料层的覆盖率；步骤S27，排出残留的第二前驱物和第二反应产物；步骤S28，重复步骤S24至步骤S27，在第一区域的第一氧化硅层和第二区域的半导体衬底表面形成第二高K材料层，第一区域的第二高K材料层厚度大于第二区域的第二高K材料层的厚度，其中，步骤S24至步骤S27的重复次数小于20次；步骤S29，通入刻蚀气体，去除第二区域的第二高K材料层，在第一区域的第一氧化硅层表面形成第三高K材料层；步骤S30，排出残留的刻蚀气体和第三反应产物；步骤S31，重复步骤S24至步骤S30，直至在第一区域的第一氧化硅层表面形成第一高K介质层。