发明名称 半導体記憶装置
摘要 【課題】 パーシャルページプログラムとデータスクランブルとを両立し、信頼性を向上させるフラッシュメモリを提供する。【解決手段】 本発明のフラッシュメモリにおいて、同一ページにn回連続してデータをプログラムする場合、入力されたアドレス情報に基づき選択されたページにデータをプログラムするときの記憶位置を示す位置情報と当該位置情報により規定される記憶領域がプログラムされたものであること識別するフラグ情報とを生成し、スクランブルされたデータ、位置情報およびフラグ情報をメモリアレイの選択されたページにプログラムする。【選択図】 図8
申请公布号 JP5940705(B1) 申请公布日期 2016.06.29
申请号 JP20150065425 申请日期 2015.03.27
申请人 ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション 发明人 須藤 直昭
分类号 G11C16/02;G11C16/04 主分类号 G11C16/02
代理机构 代理人
主权项
地址