| 发明名称 | 图案化的石墨烯的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种图案化石墨烯的形成方法，包括：提供一半导体硅衬底，图案化所述半导体硅衬底；在图案化的半导体硅衬底表面掺杂碳元素至预定深度形成图案化的含碳层；激光退火所述图案化的含碳层，形成图案化的石墨烯。本发明还提供了一种图案化石墨烯的形成方法。采用本发明能够迅速形成图案化的石墨烯。 | ||
| 申请公布号 | CN103378001B | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201210120466.6 | 申请日期 | 2012.04.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王冬江;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/8232(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8232(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种图案化的石墨烯的形成方法，包括：提供一半导体硅衬底，图案化所述半导体硅衬底；在图案化的半导体硅衬底表面掺杂碳元素至预定深度形成图案化的含碳层；采用钇铝石榴石YAG激光束进行激光退火所述图案化的含碳层，形成图案化的石墨烯；其中，采用YAG激光束进行激光退火的时间为毫秒级到秒级。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||