半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：半导体衬底具有存储区、逻辑区和电阻区，所述存储区的半导体衬底表面具有闪存栅极结构；在闪存栅极结构表面和电阻区表面形成第一介质层、以及所述第一介质层表面的第一多晶硅层；在电阻区的第一多晶硅层表面和侧壁、以及逻辑区的半导体衬底表面形成第二介质层、以及第二介质层表面的第二多晶硅层；在存储区、逻辑区和电阻区的第二多晶硅层和半导体衬底表面形成金属硅化物层；在电阻区的第一多晶硅层的两端表面形成贯穿所述金属硅化物层、第二多晶硅层和第二介质层的导电插塞。本发明的半导体器件的形成方法能够简化形成闪存存储电路中的多晶硅电阻器的工艺步骤，节省工艺时间和成本。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有存储区、逻辑区和电阻区，所述存储区的半导体衬底表面具有闪存栅极结构；在存储区、逻辑区和电阻区形成覆盖半导体衬底和闪存栅极结构表面的第一介质薄膜、以及所述第一介质薄膜表面的第一多晶硅薄膜；刻蚀部分第一多晶硅薄膜和第一介质薄膜，在所述闪存栅极结构表面和电阻区表面形成第一介质层、以及所述第一介质层表面的第一多晶硅层；在形成第一多晶硅层之后，在存储区、逻辑区和电阻区形成覆盖所述半导体衬底、闪存栅极结构和第一多晶硅层表面的第二介质薄膜、以及第二介质薄膜表面的第二多晶硅薄膜；刻蚀部分第二多晶硅薄膜和第二介质薄膜，在电阻区的第一多晶硅层表面和侧壁、以及逻辑区的半导体衬底表面形成第二介质层、以及第二介质层表面的第二多晶硅层；在存储区、逻辑区和电阻区的第二多晶硅层和半导体衬底表面的形成金属硅化物层；在电阻区的第一多晶硅层的两端表面形成贯穿所述金属硅化物层、第二多晶硅层和第二介质层的导电插塞。