发明名称 |
晶片的加工方法 |
摘要 |
晶片的加工方法。沿着分割预定线将晶片分割为各个器件芯片的晶片的加工方法包括:改质层形成工序,将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于晶片的内部并沿着分割预定线照射,在晶片的内部沿着分割预定线而形成改质层;以及背面磨削工序,对晶片的背面供给磨削水并进行磨削以使其形成为规定的厚度,并以改质层作为断裂起点而沿着分割预定线将晶片分割为各个器件芯片,在实施背面磨削工序前,实施如下工序:保护带贴附工序,在晶片的正面上贴附通过照射紫外线而使得粘结层硬化的保护带;以及粘结层硬化工序,对贴附于晶片的正面上的保护带照射紫外线以使粘结层硬化。 |
申请公布号 |
CN105720008A |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201510957302.2 |
申请日期 |
2015.12.18 |
申请人 |
株式会社迪思科 |
发明人 |
中村胜 |
分类号 |
H01L21/78(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
李辉;金玲 |
主权项 |
一种晶片的加工方法,沿着分割预定线将晶片分割为各个器件芯片,该晶片在正面呈格子状地形成有多条分割预定线,并且,该晶片在正面具有:器件区域,其是在由该多条分割预定线划分出的多个区域上分别形成了器件的区域;以及围绕该器件区域的外周剩余区域,该加工方法的特征在于,包括:保护带贴附工序,将通过照射紫外线而使得粘结层硬化的保护带贴附于晶片的正面上;粘结层硬化工序,对贴附于晶片的正面上的保护带照射紫外线,使该粘结层硬化;改质层形成工序,将聚光点定位于晶片的内部,沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线,从而在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层;以及背面磨削工序,在实施了该粘结层硬化工序和该改质层形成工序后,对晶片的背面供给磨削水并磨削晶片,使晶片变薄到规定的厚度,并且以该改质层为断裂起点,沿着该分割预定线将晶片分割为各个器件芯片。 |
地址 |
日本东京都 |