半导体发光器件

摘要

提供一种半导体发光器件，其包括：第一导电型氮化物半导体层；活性层，形成在第一导电型氮化物半导体层下方；第二导电型氮化物半导体层，形成在活性层下方；台面区域，从第二导电型氮化物半导体层向上形成，从而暴露第一导电型氮化物半导体层；第二电极，形成在第二导电型氮化物半导体层下方；金属覆盖层，形成在第二导电型氮化物半导体层下方的拐角处，以覆盖第二电极的一部分；绝缘层，形成在金属覆盖层、第二电极和台面区域下方；绝缘层的开口，形成在与台面区域相对应的部分处，从而暴露第一导电型氮化物半导体层；第一电极，形成在绝缘层下方和开口中；导电衬底，形成在第一电极下方；第二电极垫，形成在暴露的金属覆盖层上方。

主权项

一种氮化物半导体发光器件，所述氮化物半导体发光器件包括：第一导电型氮化物半导体层；活性层，形成于所述第一导电型氮化物半导体层的下方；第二导电型氮化物半导体层，形成于所述活性层的下方；台面区域，从所述第二导电型氮化物半导体层向上延伸形成，以暴露所述第一导电型氮化物半导体层；第二电极，形成于所述第二导电型氮化物半导体层的下方；金属覆盖层，形成于所述第二导电型氮化物半导体层下方的拐角处，以与所述第二电极的一部分叠置，且沿向上的方向部分暴露；绝缘层，形成于所述金属覆盖层、所述第二电极和所述台面区域的下方；所述绝缘层的开口，形成于与所述台面区域相对应的部分处，以暴露所述第一导电型氮化物半导体层；第一电极，形成于所述绝缘层的下方和所述开口内；导电衬底，形成于所述第一电极的下方；以及第二电极垫，形成于暴露的金属覆盖层的上方，其中，当所述台面区域中的一个台面区域与邻近所述一个台面区域的另一个台面区域之间的所述第二电极的宽度用a表示，并且边缘处的台面区域与所述拐角处的所述金属覆盖层的延长线之间的所述第二电极的宽度用b表示时，建立起a>b的关系。