| 发明名称 | 具有自对准浮栅和控制栅的存储器结构和关联方法 | ||
| 摘要 | 一种存储器结构，其具有至少大致对准的浮栅和控制栅。这样的存储器结构包括：控制栅材料，其设置在第一绝缘体层与第二绝缘体层之间；浮栅材料，其设置在第一绝缘体层与第二绝缘体层之间并且与控制栅材料至少大致对准，该浮栅材料包括金属区和多层复合电介质（IPD）层，其设置在控制栅材料与浮栅材料之间使得IPD层将控制栅材料与浮栅材料电隔离。 | ||
| 申请公布号 | CN105723511A | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201480064182.7 | 申请日期 | 2014.11.24 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | J.D.霍金斯;F.A.辛塞克格 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张金金;付曼 |
| 主权项 | 一种存储器结构，其具有至少大致对准的浮栅和控制栅，所述存储器结构包括：控制栅材料，其设置在第一绝缘体层与第二绝缘体层之间；浮栅材料，其设置在所述第一绝缘体层与所述第二绝缘体层之间并且与所述控制栅材料至少大致对准，所述浮栅材料包括金属区；和多层复合电介质（IPD）层，其设置在所述控制栅材料与所述浮栅材料之间使得所述IPD层将所述控制栅材料与所述浮栅材料电隔离。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||