LOGIC CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

클록 게이팅이 수행되는 논리 회로에서, 대기 전력이 감소되거나 오동작이 억제된다. 논리 회로는 클록 신호가 공급되지 않는 기간 동안 소스 단자와 드레인 단자 사이에 전위차가 존재하는 오프 상태에 있는 트랜지스터를 포함한다. 트랜지스터의 채널 형성 영역은 수소 농도가 감소되는 산화물 반도체를 이용하여 형성된다. 구체적으로, 산화물 반도체의 수소 농도는 5 × 10(atoms/cm) 이하이다. 따라서, 트랜지스터의 누설 전류가 감소될 수 있다. 결과적으로, 논리 회로에서, 대기 전력의 감소 및 오동작의 억제가 달성될 수 있다.