发明名称 用于在花键轴上形成类金刚石碳膜的方法以及热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置
摘要 多个花键轴(10)绕柱状等离子体(70a)布置,并且多个花键轴(10)在真空室(60)内沿柱状等离子体(70a)延伸的方向同轴地对准。多个同轴地对准的花键轴(10)定位为在相应的阳花键部(16)之间形成轴向间隙。多个阳花键部(16)的轴向间隙定位在柱状等离子体(70a)的沿柱状等离子体(70a)延伸的方向的中心处。
申请公布号 CN102953044B 申请公布日期 2016.06.29
申请号 CN201210305330.2 申请日期 2012.08.24
申请人 株式会社捷太格特;株式会社CNK 发明人 安藤淳二;铃木知朗;小川友树;岩井昭宪;吉村信义;桥富弘幸
分类号 C23C16/27(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I;F16C3/06(2006.01)I 主分类号 C23C16/27(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 田军锋;吴焕芳
主权项 一种用于通过热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置(50)在花键轴(1)的阳花键部(16)上形成类金刚石碳膜(16c)的方法,其中,所述热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置(50)包括:i)真空室(60),所述真空室(60)容纳所述花键轴(1);ii)等离子枪(80);iii)反射电极(91),所述反射电极(91)布置在所述真空室(60)内;iv)第一线圈(92),所述第一线圈(92)绕所述等离子枪(80)布置;v)第二线圈(93),所述第二线圈(93)布置在反射电极(91)侧,所述第二线圈(93)面对所述第一线圈(92);vi)热阴极潘宁电离计型等离子源(70),所述热阴极潘宁电离计型等离子源(70)在所述真空室(60)中形成柱状等离子体(70a),该柱状等离子体(70a)具有凸出中心部;和vii)材料气体给送部(120),所述材料气体给送部(120)向所述真空室(60)供给材料气体,所述材料气体用作用于类金刚石碳膜(16c)的材料,所述方法的特征在于包括,在所述真空室(60)中绕所述柱状等离子体(70a)布置多个所述花键轴(1);使多个所述花键轴(1)在具有沿与所述柱状等离子体(70a)延伸的方向相同的方向延伸的纵向轴线的支承部(114)上同轴地对准;将多个同轴地对准的所述花键轴(1)布置为使得多个同轴地对准的所述花键轴(1)中的两个花键轴(1)位于所述支承部(114)的所述纵向轴线的中心的附近并定位成在位于所述中心的附近处的所述两个花键轴(1)的相应的所述阳花键部(16)之间形成轴向间隙;以及将所述轴向间隙定位成使得所述轴向间隙的中心定位在所述支承部(114)的所述纵向轴线的所述中心处并且使得所述轴向间隙的所述中心定位在所述柱状等离子体的沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向的中心处。
地址 日本大阪府大阪市